源设计专门的光刻胶。
但是专门针对ArF光源设计光刻胶，来减少吸收呢，新光刻胶又很有可能会进一步造成线边波动和不规则性。
另外采用ArF来构建先进制程，会采用多重曝光技术、相位移光掩膜技术和偏振光技术等。
这些技术一定程度上又会增加线边波动和不规则性。
所以造成线边波动的原因比你猜测的更多。”
周新问：“可是有这么多困难，为什么前辈你还是看好ArF路线？”
周新怎么知道林本坚看好ArF技术路线，因为林本坚这次在参加光学大会接受采访的时候自己说的。
“是帮光刻机公司打掩护吗？”
林本坚笑了：“我已经从IBM离职了，IBM这几年也几乎没有在光刻机领域继续投入了。
我又没有为尼康或者佳能工作，为什么要帮他们打掩护。
我当然是从我内心出发更加看好ArF技术路线。
我们刚刚说的是ArF的缺点，这些缺点只是暂时的。
在KrF光源代替g线和i线的过程中，同样有很多困难。”
g线是436nm波长的光源，i线是365nm波长的光源。
“相对于g线和i线，KrF需要新的光刻胶和抗反射涂层材料来适应KrF光源的特性。
同时KrF要求更高性能的光学系统和光掩膜材料。当时需要采用更先进的透镜和光学元件，以实现更高的数值孔径和分辨率。
此外，光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。
KrF还需要优化曝光过程，以提高成像质量。我们当时主要采用了双重曝光和离焦曝光技术来降低光刻误差。
让我想想，对了，我们当时在研发KrF光源的时候还要对控制进行考虑，因为KrF实现了更高的分辨率，所以需要更严格的制程控制要求。
需要对光刻胶涂覆厚度、曝光剂量、显影过程等参数进行更精确的控制，以保证光刻成像质量和产量。
这么多困难，我们照样克服了，最终KrF光源代替了g线和i线，成为了今天的最先进的制程光源。
同样未来短波长的光源势必然会代替长波长的光源，这是技术进步的必然。
我们刚刚讨论的困难只是暂时的困难。”
ASML、尼康和佳能只是暂缓了在ArF上的投入，而不是停止了在ArF技术路线上的投入。
后来ASML实现弯道超车，也是因为他们选择了正确的技术路线，ArF光源以水为介质，在光刻胶上面抹一层水。
